半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所需材料的主要制造材料，讓鯤鵬精密智能科技來給大家說說看吧

　　一、拋光材料

　　半導(dǎo)體中的拋光材料一般是指CMP化學(xué)機械拋光工藝中使用的材料。 CMP拋光是實現(xiàn)晶圓均勻全局平坦化的關(guān)鍵工藝。

　　拋光材料一般可分為拋光墊、拋光液、調(diào)理劑和清潔劑，其中前兩種非常關(guān)鍵。拋光墊的材質(zhì)一般為聚氨酯或聚酯加飽和聚氨酯，拋光液一般由超細固體顆粒磨料（如納米級二氧化硅、氧化鋁顆粒等）等組成。

　　二、光刻膠

　　光刻膠又稱光刻膠，是一種對光敏感的混合液體。其成分包括：光引發(fā)劑（包括光敏劑、光產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他添加劑。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)和曝光、顯影等光刻工藝，將所需的精細圖案從光掩模（掩模）轉(zhuǎn)移到待處理的基板上。根據(jù)使用場景的不同，這里要加工的基板可以是集成電路材料、顯示面板材料（LCD）或印刷電路板（PCB）。光刻膠根據(jù)化學(xué)反應(yīng)原理的不同可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。

　　光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子工業(yè)與化學(xué)工業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)。從事微電子化工業(yè)務(wù)需要與電子行業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)，如與生產(chǎn)過程相匹配的混合技術(shù)、分離技術(shù)、提純技術(shù)、分析檢測技術(shù)、環(huán)境治理和監(jiān)測技術(shù)等。光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)、質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。配方技術(shù)是光刻膠功能的核心，質(zhì)量控制技術(shù)可以保證光刻膠性能的穩(wěn)定性，優(yōu)質(zhì)的原材料是光刻膠性能的基礎(chǔ)。

　　三、掩膜版

　　業(yè)內(nèi)又稱為光掩模、光掩模、光刻掩模，材質(zhì)：石英玻璃、金屬鉻和光刻膠，本產(chǎn)品以石英玻璃為基材，在其上鍍上一層金屬鉻和感光膠成為一種感光材料。將設(shè)計好的電路圖案通過電子激光設(shè)備曝光在感光膠上，對曝光區(qū)域進行顯影，在金屬鉻上形成電路圖案，與曝光后類似。然后將負(fù)片的光掩模應(yīng)用于集成電路的投影和定位，通過集成電路光刻機對投影電路進行光刻。