在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，清洗工藝是極為關(guān)鍵的一步，主要用于去除硅片表面在光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積等環(huán)節(jié)所殘留的顆粒、有機(jī)物、金屬離子以及天然氧化物。為達(dá)到高潔凈度標(biāo)準(zhǔn)，清洗工藝需依賴(lài)多種原材料的協(xié)同作用。這些原材料按照功能和使用方式可分為酸類(lèi)、堿類(lèi)、氧化劑、還原劑、有機(jī)溶劑、超純水及特種氣體等幾大類(lèi)。

常見(jiàn)酸類(lèi)原材料包括硫酸（H?SO?）、氫氟酸（HF）、鹽酸（HCl）和硝酸（HNO?）等。硫酸常與過(guò)氧化氫（H?O?）組成混合液，用于去除有機(jī)污染物和光刻膠殘留；氫氟酸用于去除硅表面上的天然氧化層，是實(shí)現(xiàn)裸硅表面的關(guān)鍵原料；鹽酸和硝酸則主要用于去除金屬雜質(zhì)，通過(guò)絡(luò)合反應(yīng)溶解金屬離子。堿類(lèi)原材料以氫氧化銨（NH?OH）常用，常與過(guò)氧化氫和水組成標(biāo)準(zhǔn)清洗液（SC-1），用于去除顆粒和部分金屬雜質(zhì)。

在氧化劑方面，過(guò)氧化氫（H?O?）是使用頻繁的一種，既可與酸或堿形成清洗液，又能分解為水和氧，清潔過(guò)程較為環(huán)保。還原劑如氫氣（H?）**或某些有機(jī)還原成分也用于特定的氣相或濕法還原清洗流程中，幫助去除特定類(lèi)型的污染。

有機(jī)溶劑方面，異丙醇（IPA）、丙酮、甲醇和N-甲基吡咯烷酮（NMP）**等常用于光刻膠殘留物的去除。其中IPA因其揮發(fā)性好、殘留低而廣泛應(yīng)用于干燥過(guò)程；NMP因其溶解能力強(qiáng)，多用于清洗頑固殘留。所有清洗步驟中，超純水（UPW）**都是基礎(chǔ)原料之一，作為稀釋液和漂洗液使用，用量大，對(duì)其純度要求也高，不含金屬離子、有機(jī)物或微粒。

此外，為配合某些干法或氣相清洗工藝，氮?dú)猓∟?）、氬氣（Ar）、臭氧（O?）、**氟化氫氣體（HF氣）**等也作為原材料投入使用。其中，臭氧常與水配合生成臭氧水，用于替代傳統(tǒng)強(qiáng)酸清洗流程，具備更強(qiáng)的氧化性和環(huán)境友好性。

綜上，半導(dǎo)體清洗工藝中的原材料種類(lèi)繁多，涉及無(wú)機(jī)酸堿、有機(jī)溶劑、高純氣體及超純水等多個(gè)類(lèi)別。合理組合使用這些原料，是實(shí)現(xiàn)高潔凈度、高良率和高可靠性的基礎(chǔ)，直接影響芯片制造的成品率和性能表現(xiàn)。