半導(dǎo)體清洗材料清潔技術(shù)趨勢(shì)！鯤鵬精密給大家一起來講講吧！

　　在半導(dǎo)體工廠中，蝕刻部分通常采用濕法蝕刻，擴(kuò)散部分采用濕法清洗。硅片似乎被放置在一種化學(xué)溶液中。為什么爭(zhēng)論？濕法清洗主要是用化學(xué)溶液（如ＳＣ１、ＳＣ２）清洗晶圓，去除顆?；蚪饘匐s質(zhì)。之所以歸入擴(kuò)散部是因?yàn)閿U(kuò)散部主要從事高溫爐管過程中氧化物的生長(zhǎng)或驅(qū)動(dòng)進(jìn)入。基本上是需要清洗雜質(zhì)，除去顆粒，防止這些雜質(zhì)在高溫過程中造成問題，所以分為擴(kuò)散部分。

　　濕法蝕刻的主要目的是去除一些不需要的薄膜或蝕刻一定的結(jié)構(gòu)，通常用光塊覆蓋一部分以吃掉另一部分，這就是實(shí)際的蝕刻，所以分為蝕刻部分。

　　由于半導(dǎo)體需要超潔凈的表面，清洗過程不僅是半導(dǎo)體器件制造的核心過程，而且占半導(dǎo)體器件制造過程的２０％左右。另外，半導(dǎo)體行業(yè)也要求改善環(huán)境污染，因此，大部分排放酸、ＤＩＷ等液體廢物的清潔項(xiàng)目都應(yīng)該升級(jí)為清潔技術(shù)?；厩逑催^程的目標(biāo)是不損壞硅基板的表面，也不對(duì)表面造成嚴(yán)重的變化。即去除表面的污染物，如細(xì)小顆粒或化學(xué)雜質(zhì)。如果按其形態(tài)特征對(duì)芯片污染物進(jìn)行劃分，根據(jù)去除方法大致可分為自然氧化火、懸浮顆粒和金屬，如表５所示。這些污染物是由粒子的靜電荷產(chǎn)生的力，由電層形成的力，毛細(xì)管作用的力，以及粒子和表面之間的化學(xué)鍵，這些被認(rèn)為是附著在微氣泡的表面。

　　從晶圓表面去除污染物的方法大致可分為物理方法和化學(xué)方法。物理方法是通過動(dòng)量傳遞將表面污染物從表面去除?；瘜W(xué)方法是用來打破分子間的鍵或產(chǎn)生揮發(fā)性物質(zhì)，這些物質(zhì)通過表面反應(yīng)從表面去除。傳統(tǒng)的清洗工藝（液體清洗）：傳統(tǒng)的濕法清洗是將晶圓片在清洗試劑溶液中浸泡一段時(shí)間，用去離子水（ＤＩＷ）沖洗晶圓片，然后用一系列的方法將晶圓片表面殘留的水層烘干。常見的清洗方法是ＲＣＡ清洗，至今仍是主流。ＲＣＡ清洗通常需要三個(gè)清洗階段。ＳＣＩＣｌｅａｒＧ專為去除有機(jī)物、金屬污染和顆粒物而設(shè)計(jì)。ＨＦＤｅａｒＧ用于去除金屬污染和天然氧化膜，而ＳＣ２清洗在去除金屬污染的同時(shí)可以再生天然氧化膜，使硅表面親水且對(duì)顆粒穩(wěn)定。在以ＲＣＡＤｅａｎｉｇ為代表的液相清洗中，如表６所示，清洗液被反復(fù)清洗，ＤＩＷ被沖洗，導(dǎo)致大量的液相浪費(fèi)。

　　液體清洗的優(yōu)點(diǎn)是能夠在同一設(shè)備中使用多用途清洗液進(jìn)行目的清洗，如表６所示。然而，這種方法雖然清洗效率高，但由于多使用強(qiáng)酸和ＤＩＷ，從改善環(huán)境的角度來看并不理想。為改進(jìn)液體清洗工藝，提出了超聲波清洗、旋轉(zhuǎn)清洗和噴淋清洗。超聲洗脫與傳統(tǒng)的浴液和洗脫液相同，但在溶液中引入超聲振動(dòng)，配合物理清洗，是提高清洗效率的一種解決方案。

　　因此，可以提高清洗效率，減少溶液用量。但是，在復(fù)雜的結(jié)構(gòu)中，很難完全去除使用過的溶液，工藝集成困難，還可能存在重新污染等問題。旋轉(zhuǎn)清洗是將少量溶液注入芯片中心，然后快速旋轉(zhuǎn)，起到變焦作用，利用離心力去除溶解在溶液中的污染物的一種方法。因此，可大大減少溶液用量，縮短清洗時(shí)間。然而，還有清洗效率和可靠性的問題。噴涂清洗是通過噴涂強(qiáng)力溶液來完成的，因此可以預(yù)期它比溶液組方法更有效，但存在表面損傷和殘留清洗液等缺點(diǎn)。